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APT26F120B2

APT26F120B2

僅供參考

型號 APT26F120B2
PNEDA編號 APT26F120B2
描述 MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT26F120B2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT26F120B2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT26F120B2規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs650mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs300nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9670pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1135W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝T-MAX™
包裝/箱TO-247-3 Variant

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160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10350pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.9mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

360nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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