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APTC60AM83B1G

APTC60AM83B1G

僅供參考

型號 APTC60AM83B1G
PNEDA編號 APTC60AM83B1G
描述 MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60AM83B1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60AM83B1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60AM83B1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
FET功能Super Junction
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A
Rds On(Max)@ Id,Vgs83mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs250nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7200pF @ 25V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22pF @ 30V, 7pF @ 30V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

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8.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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