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APTC60TAM35PG

APTC60TAM35PG

僅供參考

型號 APTC60TAM35PG
PNEDA編號 APTC60TAM35PG
描述 MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60TAM35PG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60TAM35PG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60TAM35PG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)72A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 72A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 5.4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs518nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14000pF @ 25V
功率-最大416W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6-P

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.2mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2254pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

15V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.45nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

840mW

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安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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