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APTC80H29SCTG

APTC80H29SCTG

僅供參考

型號 APTC80H29SCTG
PNEDA編號 APTC80H29SCTG
描述 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC80H29SCTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC80H29SCTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC80H29SCTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs91nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2254pF @ 25V
功率-最大156W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.8nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

355pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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