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ECH8691-TL-W

ECH8691-TL-W

僅供參考

型號 ECH8691-TL-W
PNEDA編號 ECH8691-TL-W
描述 MOSFET 2P-CH ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $4.3351
250 ---------- $4.1319
500 ---------- $3.9287
1,000 ---------- $3.7255
2,500 ---------- $3.5561
5,000 ---------- $3.3868
庫存 34,441
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8691-TL-W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8691-TL-W
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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ECH8691-TL-W規格

制造商ON Semiconductor
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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制造商

ON Semiconductor

系列

*

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/599

FET類型

4 P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

14-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

MO-036AB

IPG20N04S4L11AATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 15µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1990pF @ 25V

功率-最大

41W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount, Wettable Flank

包裝/箱

8-PowerVDFN

供應商設備包裝

PG-TDSON-8-10

BUK7K12-60EX

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

617pF @ 25V

功率-最大

68W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-1205, 8-LFPAK56

供應商設備包裝

LFPAK56D

SI6913DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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