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APTGF50A60T1G

APTGF50A60T1G

僅供參考

型號 APTGF50A60T1G
PNEDA編號 APTGF50A60T1G
描述 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF50A60T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF50A60T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGF50A60T1G, APTGF50A60T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 312.54 KB)
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APTGF50A60T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)65A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce2.2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.21V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

32.5nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

370A

功率-最大

1950W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.75V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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包裝/箱

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Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

335W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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