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APTGT30DDA60T3G

APTGT30DDA60T3G

僅供參考

型號 APTGT30DDA60T3G
PNEDA編號 APTGT30DDA60T3G
描述 IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT30DDA60T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT30DDA60T3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT30DDA60T3G, APTGT30DDA60T3G數據表 (總頁數: 5, 大小: 259.16 KB)
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APTGT30DDA60T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大90W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

95pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.7nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.3nF @ 25V

輸入

Standard

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-

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2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.35nF @ 25V

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