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APTGT400TL65G

APTGT400TL65G

僅供參考

型號 APTGT400TL65G
PNEDA編號 APTGT400TL65G
描述 IGBT 650V SP6C
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT400TL65G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT400TL65G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT400TL65G規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6.5V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

24nF @ 10V

輸入

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NTC熱敏電阻

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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50A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.46nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

170A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 70A

當前-集電極截止(最大值)

25µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

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