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APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

僅供參考

型號 APTM100H35FTG
PNEDA編號 APTM100H35FTG
描述 MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100H35FTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100H35FTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM100H35FTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs186nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5200pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

393pF @ 15V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 40mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

644nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11000pF @ 1000V

功率-最大

1250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

416W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.45A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1.45A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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