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NTTD1P02R2G

NTTD1P02R2G

僅供參考

型號 NTTD1P02R2G
PNEDA編號 NTTD1P02R2G
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTTD1P02R2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTTD1P02R2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTTD1P02R2G, NTTD1P02R2G數據表 (總頁數: 6, 大小: 148.2 KB)
PDFNTTD1P02R2G數據表 封面
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NTTD1P02R2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.45A
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 1.45A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds265pF @ 16V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝Micro8™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1170pF @ 50V

功率-最大

46W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.2mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 15V

功率-最大

1.4W, 2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 10V

功率-最大

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