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APTM120A29FTG

APTM120A29FTG

僅供參考

型號 APTM120A29FTG
PNEDA編號 APTM120A29FTG
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM120A29FTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM120A29FTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM120A29FTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)34A
Rds On(Max)@ Id,Vgs348mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs374nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10300pF @ 25V
功率-最大780W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.44nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 10V

功率-最大

300mW

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

61mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 9µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

功率-最大

29W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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