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APTM60A11FT1G

APTM60A11FT1G

僅供參考

型號 APTM60A11FT1G
PNEDA編號 APTM60A11FT1G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM60A11FT1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM60A11FT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM60A11FT1G, APTM60A11FT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 139.35 KB)
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APTM60A11FT1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A
Rds On(Max)@ Id,Vgs132mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs330nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10552pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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6A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A, 35A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2375pF @ 13V

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2.1W, 2.3W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A, 9.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.6mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 15V

功率-最大

1.4W, 2W

工作溫度

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