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APTMC120AM09CT3AG

APTMC120AM09CT3AG

僅供參考

型號 APTMC120AM09CT3AG
PNEDA編號 APTMC120AM09CT3AG
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTMC120AM09CT3AG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTMC120AM09CT3AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTMC120AM09CT3AG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N Channel (Phase Leg)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)295A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 200A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 40mA (Typ)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs644nC @ 20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11000pF @ 1000V
功率-最大1250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1740pF @ 25V

功率-最大

2W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

997pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 40W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

416W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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