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APTSM120AM08CT6AG

APTSM120AM08CT6AG

僅供參考

型號 APTSM120AM08CT6AG
PNEDA編號 APTSM120AM08CT6AG
描述 POWER MODULE - SIC
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 5 - 一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTSM120AM08CT6AG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTSM120AM08CT6AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTSM120AM08CT6AG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)370A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 200A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1360nC @ 20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2300W
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540Ohm @ 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.45V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 4V

功率-最大

7.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta), 2.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 10V, 705pF @ 10V

功率-最大

800mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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