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APTSM120TAM33CTPAG

APTSM120TAM33CTPAG

僅供參考

型號 APTSM120TAM33CTPAG
PNEDA編號 APTSM120TAM33CTPAG
描述 POWER MODULE - SIC
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTSM120TAM33CTPAG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTSM120TAM33CTPAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTSM120TAM33CTPAG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)112A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs33mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs408nC @ 20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7680pF @ 1000V
功率-最大714W
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

741pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 16V

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