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BAS19LT3G

BAS19LT3G

僅供參考

型號 BAS19LT3G
PNEDA編號 BAS19LT3G
描述 DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 86,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS19LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS19LT3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS19LT3G, BAS19LT3G數據表 (總頁數: 8, 大小: 188.18 KB)
PDFSBAS21DW5T3G數據表 封面
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BAS19LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 100V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.4V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

36µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-213AA

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

35A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 12A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

74µA @ 650V

電容@ Vr,F

641.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

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TO-220-2

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

210ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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