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BCR133WE6327HTSA1

BCR133WE6327HTSA1

僅供參考

型號 BCR133WE6327HTSA1
PNEDA編號 BCR133WE6327HTSA1
描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR133WE6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR133WE6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
BCR133WE6327HTSA1, BCR133WE6327HTSA1數據表 (總頁數: 11, 大小: 867.54 KB)
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BCR133WE6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡130MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝PG-SOT323-3

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

150mW

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