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BFP 520F E6327

BFP 520F E6327

僅供參考

型號 BFP 520F E6327
PNEDA編號 BFP-520F-E6327
描述 RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFP 520F E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFP 520F E6327
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFP 520F E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3.5V
頻率-過渡45GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.95dB @ 1.8GHz
增益22.5dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 20mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)40mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝4-TSFP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 900MHz

增益

12.5dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 200mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

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制造商

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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-

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-323

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Microsemi

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Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.6dB

功率-最大

60W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

工作溫度

200°C (TJ)

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Chassis Mount

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0.75dB @ 6GHz

增益

15.8dB

功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

205 @ 2mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

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