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BLT81,115

BLT81,115

僅供參考

型號 BLT81,115
PNEDA編號 BLT81-115
描述 RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 82,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 7 - 三月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLT81資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLT81,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BLT81, BLT81數據表 (總頁數: 12, 大小: 81.92 KB)
PDFBLT81數據表 封面
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BLT81規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)9.5V
頻率-過渡900MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益8dB
功率-最大2W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 300mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 2GHz

增益

18dB

功率-最大

60mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-143R

供應商設備包裝

SOT-143R

BFR181WH6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

19dB

功率-最大

175mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

PG-SOT323-3

BFP840ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2.25V

頻率-過渡

80GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.85dB @ 5.5GHz

增益

18.5dB

功率-最大

75mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 10mA, 1.8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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-

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