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BFP193WH6327XTSA1

BFP193WH6327XTSA1

僅供參考

型號 BFP193WH6327XTSA1
PNEDA編號 BFP193WH6327XTSA1
描述 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFP193WH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFP193WH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFP193WH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益13.5dB ~ 20.5dB
功率-最大580mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 30mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)80mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝PG-SOT343-4

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增益

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功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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11dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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增益

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功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 25mA, 3V

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45mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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