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BSC152N10NSFGATMA1

BSC152N10NSFGATMA1

僅供參考

型號 BSC152N10NSFGATMA1
PNEDA編號 BSC152N10NSFGATMA1
描述 MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC152N10NSFGATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC152N10NSFGATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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BSC152N10NSFGATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.4A (Ta), 63A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 72µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1900pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)114W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-1
包裝/箱8-PowerTDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

213nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2159pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

214W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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