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BSF030NE2LQXUMA1

BSF030NE2LQXUMA1

僅供參考

型號 BSF030NE2LQXUMA1
PNEDA編號 BSF030NE2LQXUMA1
描述 MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSF030NE2LQXUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSF030NE2LQXUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSF030NE2LQXUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Ta), 75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1700pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)2.2W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝MG-WDSON-2, CanPAK M™
包裝/箱3-WDSON

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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13A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2370pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

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Vgs(最大)

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FET功能

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