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IRLB8748PBF

IRLB8748PBF

僅供參考

型號 IRLB8748PBF
PNEDA編號 IRLB8748PBF
描述 MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 68,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLB8748PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLB8748PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLB8748PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)78A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2139pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)75W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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Infineon Technologies

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HEXFET®

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

260W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1725pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

99W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 36µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2770pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

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