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BSO150N03

BSO150N03

僅供參考

型號 BSO150N03
PNEDA編號 BSO150N03
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO150N03資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO150N03
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
BSO150N03, BSO150N03數據表 (總頁數: 9, 大小: 658.78 KB)
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BSO150N03規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1890pF @ 15V
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝PG-DSO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

156mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

562nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15200pF @ 25V

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

200mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Advanced Linear Devices Inc.

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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安裝類型

Through Hole

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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