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BSO150N03MDGXUMA1

BSO150N03MDGXUMA1

僅供參考

型號 BSO150N03MDGXUMA1
PNEDA編號 BSO150N03MDGXUMA1
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 230,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 24 - 十二月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO150N03MDGXUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO150N03MDGXUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSO150N03MDGXUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 15V
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝PG-DSO-8

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7.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

393pF @ 15V

功率-最大

700mW

工作溫度

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

89A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 44.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

112nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6850pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7A , 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

功率-最大

2.5W

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