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BSO211PHXUMA1

BSO211PHXUMA1

僅供參考

型號 BSO211PHXUMA1
PNEDA編號 BSO211PHXUMA1
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO211PHXUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO211PHXUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSO211PHXUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1095pF @ 15V
功率-最大1.6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝PG-DSO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

796pF @ 25V

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