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FDD8424H_F085

FDD8424H_F085

僅供參考

型號 FDD8424H_F085
PNEDA編號 FDD8424H_F085
描述 MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD8424H_F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD8424H_F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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FDD8424H_F085規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A, 6.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1000pF @ 20V
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
供應商設備包裝TO-252-4L

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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10.5A (Ta), 29A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

775mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 8V

功率-最大

270mW

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Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate, 1.8V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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