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BSO303PNTMA1

BSO303PNTMA1

僅供參考

型號 BSO303PNTMA1
PNEDA編號 BSO303PNTMA1
描述 MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO303PNTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO303PNTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
BSO303PNTMA1, BSO303PNTMA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 312.47 KB)
PDFBSO303PNTMA1數據表 封面
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BSO303PNTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs72.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1761pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝P-DSO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A, 22.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2127pF @ 25V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 14µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

145mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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