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BSO615CGHUMA1

BSO615CGHUMA1

僅供參考

型號 BSO615CGHUMA1
PNEDA編號 BSO615CGHUMA1
描述 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 50,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO615CGHUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO615CGHUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSO615CGHUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.1A, 2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds380pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝PG-DSO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

73mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 880mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.26nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

861pF @ 25V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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