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BSZ0910NDXTMA1

BSZ0910NDXTMA1

僅供參考

型號 BSZ0910NDXTMA1
PNEDA編號 BSZ0910NDXTMA1
描述 DIFFERENTIATED MOSFETS
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSZ0910NDXTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSZ0910NDXTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSZ0910NDXTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 15V
功率-最大1.9W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-WISON-8

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

165pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

785pF @ 15V

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系列

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FET類型

-

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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2 P-Channel (Dual)

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 1A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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