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BUK9K29-100E,115

BUK9K29-100E,115

僅供參考

型號 BUK9K29-100E,115
PNEDA編號 BUK9K29-100E-115
描述 MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK9K29-100E資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK9K29-100E,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
BUK9K29-100E, BUK9K29-100E數據表 (總頁數: 13, 大小: 738.57 KB)
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BUK9K29-100E規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3491pF @ 25V
功率-最大68W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-1205, 8-LFPAK56
供應商設備包裝LFPAK56D

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A, 9.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

855pF @ 20V

功率-最大

3.1W, 3.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

BSL205NH6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate, 4.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

419pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.43nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17pF @ 10V

功率-最大

220mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37.6mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1533pF @ 25V

功率-最大

53W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-1205, 8-LFPAK56

供應商設備包裝

LFPAK56D

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 15V

功率-最大

1.4W

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