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BUK9M5R2-30EX

BUK9M5R2-30EX

僅供參考

型號 BUK9M5R2-30EX
PNEDA編號 BUK9M5R2-30EX
描述 MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK9M5R2-30EX資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK9M5R2-30EX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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BUK9M5R2-30EX規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.5nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2467pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)79W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK33
包裝/箱SOT-1210, 8-LFPAK33

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

12V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.8V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

119W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2160pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Ta), 24W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

STMicroelectronics

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta), 147A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 310µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5350pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

157W (Tc)

工作溫度

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