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BYG10J/TR

BYG10J/TR

僅供參考

型號 BYG10J/TR
PNEDA編號 BYG10J-TR
描述 DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYG10J/TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYG10J/TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYG10J/TR, BYG10J/TR數據表 (總頁數: 5, 大小: 100.2 KB)
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BYG10J/TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1.1V @ 25A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (HSMA)

工作溫度-結點

-50°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.23V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 200V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

250V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-323

工作溫度-結點

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