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BYM11-800-E3/96

BYM11-800-E3/96

僅供參考

型號 BYM11-800-E3/96
PNEDA編號 BYM11-800-E3-96
描述 DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 31,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYM11-800-E3/96資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYM11-800-E3/96
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYM11-800-E3/96規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

11pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

12500V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

15V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 12500V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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