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BYV32E-150,127

BYV32E-150,127

僅供參考

型號 BYV32E-150,127
PNEDA編號 BYV32E-150-127
描述 DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 13,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYV32E-150資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV32E-150,127
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
BYV32E-150, BYV32E-150數據表 (總頁數: 11, 大小: 378.4 KB)
PDFBYV32E-150數據表 封面
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BYV32E-150規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 150V
工作溫度-結點150°C (Max)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 300A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

210A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.24V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

93ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管配置

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 35V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

27ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

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