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CMF10120D

CMF10120D

僅供參考

型號 CMF10120D
PNEDA編號 CMF10120D
描述 MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
制造商 Cree/Wolfspeed
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMF10120D資源

品牌 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMF10120D
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
CMF10120D, CMF10120D數據表 (總頁數: 8, 大小: 871.08 KB)
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CMF10120D規格

制造商Cree/Wolfspeed
系列Z-FET™
FET類型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)20V
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs47.1nC @ 20V
Vgs(最大)+25V, -5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds928pF @ 800V
FET功能-
功耗(最大值)134W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 135°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.27Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

622pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

69W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Ta), 334A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5693pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

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