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CMLDM7120G TR

CMLDM7120G TR

僅供參考

型號 CMLDM7120G TR
PNEDA編號 CMLDM7120G-TR
描述 MOSFET N-CH 20V 1A SOT563
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMLDM7120G TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMLDM7120G TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CMLDM7120G TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.4nC @ 4.5V
Vgs(最大)8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds220pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-563
包裝/箱SOT-563, SOT-666

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 19.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

37W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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系列

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

+3V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

29W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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