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CP681-MPSH81-CT

CP681-MPSH81-CT

僅供參考

型號 CP681-MPSH81-CT
PNEDA編號 CP681-MPSH81-CT
描述 RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CP681-MPSH81-CT資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CP681-MPSH81-CT
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CP681-MPSH81-CT, CP681-MPSH81-CT數據表 (總頁數: 5, 大小: 903.48 KB)
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CP681-MPSH81-CT規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB

功率-最大

22W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.25A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

55LV

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

14dB

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

150°C (TJ)

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增益

19dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 8V

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工作溫度

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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