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CPH5518-TL-E

CPH5518-TL-E

僅供參考

型號 CPH5518-TL-E
PNEDA編號 CPH5518-TL-E
描述 TRANS NPN/PNP 80V/50V 1A 5CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 27,378
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH5518-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH5518-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
CPH5518-TL-E, CPH5518-TL-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 397.39 KB)
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CPH5518-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP (Emitter Coupled)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V, 50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic190mV @ 10mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大1.2W
頻率-過渡420MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝5-CPH

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 30mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1.04W

頻率-過渡

85MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供應商設備包裝

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Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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