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CPH5520-TL-E

CPH5520-TL-E

僅供參考

型號 CPH5520-TL-E
PNEDA編號 CPH5520-TL-E
描述 TRANS NPN/PNP 80V/50V 2A 5CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH5520-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH5520-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
CPH5520-TL-E, CPH5520-TL-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 343.22 KB)
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CPH5520-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP (Emitter Coupled)
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V, 50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic260mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大1.2W
頻率-過渡420MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝5-CPH

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

370mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

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