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CPH6531-TL-E

CPH6531-TL-E

僅供參考

型號 CPH6531-TL-E
PNEDA編號 CPH6531-TL-E
描述 TRANS 2PNP 50V 1A CPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH6531-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH6531-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
CPH6531-TL-E, CPH6531-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 523.24 KB)
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CPH6531-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic380mV @ 10mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡420MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-CPH

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1A

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 4V

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頻率-過渡

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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