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CSD25202W15

CSD25202W15

僅供參考

型號 CSD25202W15
PNEDA編號 CSD25202W15
描述 MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 1,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD25202W15資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD25202W15
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD25202W15規格

制造商
系列NexFET™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.05V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)-6V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1010pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝9-DSBGA
包裝/箱9-UFBGA, DSBGA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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CSD13303W1015

Texas Instruments

制造商

系列

NexFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

715pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.65W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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21nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

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