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CSD88584Q5DCT

CSD88584Q5DCT

僅供參考

型號 CSD88584Q5DCT
PNEDA編號 CSD88584Q5DCT
描述 MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 18,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD88584Q5DCT資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD88584Q5DCT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD88584Q5DCT規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs88nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12400pF @ 20V
功率-最大12W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱22-PowerTFDFN
供應商設備包裝22-VSON-CLIP (5x6)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

472pF @ 15V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

850mA (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

89pF @ 10V, 84pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 10V

功率-最大

600mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

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