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CY14B104N-BA45XIT

CY14B104N-BA45XIT

僅供參考

型號 CY14B104N-BA45XIT
PNEDA編號 CY14B104N-BA45XIT
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B104N-BA45XIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B104N-BA45XIT
類別半導體內存IC內存
數據表
CY14B104N-BA45XIT, CY14B104N-BA45XIT數據表 (總頁數: 25, 大小: 791.82 KB)
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CY14B104N-BA45XIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-FBGA (6x10)

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-BGA (6x8)

M50FLW080BNB5TG TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

MT53E2G32D4DT-046 WT:A TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

IDT71P74804S167BQG

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

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時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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