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CY14B104N-ZS25XI

CY14B104N-ZS25XI

僅供參考

型號 CY14B104N-ZS25XI
PNEDA編號 CY14B104N-ZS25XI
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B104N-ZS25XI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B104N-ZS25XI
類別半導體內存IC內存
數據表
CY14B104N-ZS25XI, CY14B104N-ZS25XI數據表 (總頁數: 25, 大小: 791.82 KB)
PDFCY14B104N-ZS45XIT數據表 封面
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CY14B104N-ZS25XI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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技術

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

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內存格式

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內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

14.4ns

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

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安裝類型

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