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CY7C1339G-133AXET

CY7C1339G-133AXET

僅供參考

型號 CY7C1339G-133AXET
PNEDA編號 CY7C1339G-133AXET
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1339G-133AXET資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1339G-133AXET
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1339G-133AXET, CY7C1339G-133AXET數據表 (總頁數: 18, 大小: 410.42 KB)
PDFCY7C1339G-133AXET數據表 封面
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CY7C1339G-133AXET規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4Mb (128K x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4ns
電壓-供電3.15V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x20)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

3.4MHz

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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