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CYD18S72V-133BBI

CYD18S72V-133BBI

僅供參考

型號 CYD18S72V-133BBI
PNEDA編號 CYD18S72V-133BBI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $743.3537
50 ---------- $708.5090
100 ---------- $673.6643
200 ---------- $638.8196
400 ---------- $609.7824
500 ---------- $580.7451
庫存 1
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CYD18S72V-133BBI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CYD18S72V-133BBI
類別半導體內存IC內存

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CYD18S72V-133BBI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小18Mb (256K x 72)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱484-BGA
供應商設備包裝484-FBGA (23x23)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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