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DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

僅供參考

型號 DMN2022UNS-13
PNEDA編號 DMN2022UNS-13
描述 MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2022UNS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2022UNS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN2022UNS-13, DMN2022UNS-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 346.79 KB)
PDFDMN2022UNS-13數據表 封面
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DMN2022UNS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.7A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1870pF @ 10V
功率-最大1.2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

775mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 8V

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

805pF @ 15V

功率-最大

4.5W, 3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

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