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DMN2029UVT-7

DMN2029UVT-7

僅供參考

型號 DMN2029UVT-7
PNEDA編號 DMN2029UVT-7
描述 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2029UVT-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2029UVT-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN2029UVT-7, DMN2029UVT-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 397.47 KB)
PDFDMN2029UVT-7數據表 封面
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DMN2029UVT-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

490mOhm @ 910mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.42V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

350mW

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1090pF @ 15V

功率-最大

1W

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