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SIZ988DT-T1-GE3

SIZ988DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZ988DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZ988DT-T1-GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 21,612
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZ988DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZ988DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIZ988DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
功率-最大20.2W, 40W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-PowerPair®

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

功率-最大

250W

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安裝類型

Chassis Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7210pF @ 25V

功率-最大

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Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

39pF @ 3V

功率-最大

280mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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